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3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%|包装:高密度聚乙烯容器|无稀土元素

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|成分含量:氢氟酸20%氟化铵20%水60%|高密度聚乙烯包装|无稀土元素

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量:氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量:氢氟酸20%,氟化铵20%,水60%包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%半导体制造用包装:高密度聚乙烯容器无稀土元素

3824909990三价铬彩钝
RY-915,氯化铬14%+硫酸钴1%+磷酸一钠7%+甲酸钠8%+酸性氟化铵6%+葡萄糖酸钠7%+水57%,25KG/桶

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
BOE半导体制造用成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%|包装:槽罐无稀土元素

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%|包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|成分含量:氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%|包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72包装:高密度聚乙烯容器

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