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3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%包装槽罐车

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
用途:半导体制造成分:氢氟酸,氟化铵,水,表面活性剂

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量:氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%包装:槽罐

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
用于IC刻蚀工艺;氟化铵15%氢氟酸3%水82%;塑料瓶装;总

3824909990添加剂
用于油气井压裂|含防水锁剂等|塑料桶|双癸基二甲基氟化铵/硼酸

3824909990二氧化矽蚀刻液(氢氟酸溶液)SIOETCH
用于蚀刻二氧化硅;氢氟酸<=10%氟化铵3-27%其余为水;瓶

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%|包装:槽罐车|无稀土元素

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量:氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%包装:槽罐车

3824909990水晶片浸蚀液
;氟化铵36%氟化氢4%水60%;5千克/桶,塑料桶装,零售包装

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
BOE半导体制造用高密度聚乙烯容器装氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%

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