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3824909990二氧化硅蚀刻液
蚀刻二氧化硅;氟化铵百八之四十,氢氟酸百

3824909990二氧化硅蚀刻液
蚀刻用;氢氟酸<2%氟化铵<25%其余为水;瓶装

3824909990二氧化硅蚀刻液
蚀刻用;氢氟酸0.95%氟化铵24.2%,其余为水;瓶装

3824909990氧化层蚀刻液
用于生产半导体工艺中;氟化铵29-31%,氢氟酸5-7%其余

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
BOE半导体制造;氢氟酸氟化铵水表面活性剂

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
BOE半导体制造|成分:氢氟酸1.75%氟化铵17.2%水81.05%|桶装

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
BOE半导体制造|成分:氢氟酸1.78%氟化铵17.2%水81.02%|桶装

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
BOE半导体制造用瓶装氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量:氢氟酸20%氟化铵

3824909990水晶片浸蚀液
见备注;氟化铵36.36%氟化氢4.55%水59.09%;桶装;5KG/桶

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