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3824909990二氧化硅蚀刻液BOE20-1
用于半导体制造工艺;氢氟酸2.27-2.

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
BOE半导体制造|氟化氨20%氢氟酸6%

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
BOE半导体制造|氟化铵20%氢氟酸20

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
BOE半导体制造用成分含量:氢氟酸0.0

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造;氢氟酸20%,氟化铵21%,

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造|成分含量:氢氟酸20%氟化氢

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造|氢氟酸6.5-7.5%,氟化

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造|氢氟酸6.5-7.5%氟化铵

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|成分含量:氢氟酸20%,氟

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量:氢氟酸20%,氟化

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