- 3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
- BOE半导体制造|成分:氢氟酸7%氟化氨
- 3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
- 半导体制造;氢氟酸0.07%,氟化铵17
- 3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
- 半导体制造用|成分含量:氢氟酸0.03-
- 3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
- 半导体制造用|成分含量:氢氟酸6.5-7
- 3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
- 成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.
- 3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
- 用途:半导体制造|成分含量:氢氟酸20%
- 3824909990二氧化硅蚀刻剂
- 硅片蚀刻;氢氟酸7%，氟化铵34%其余为
- 3824909990二氧化硅蚀刻剂BUFFEREDOXIDEETCHANT(BHF)200-1
- 用于硅片蚀刻;氢氟酸7%氟化氨34%;桶装;
- 3824909990二氧化硅蚀刻液
- SIOETCHHT7比1含氢氟酸百分之6
- 3824909990二氧化硅蚀刻液,用于蚀刻二氧化硅
- SIO7:1,成分含量:氢氟酸5%,氟化
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