- 38249099901.2%氦气和氮气的混合气
- 半导体制造用|成分含量：氦气1.2%氮气
- 382490999010%氟气氦气混合气
- 半导体制造用;10氟气余为氦气;钢瓶装;
- 38249099900.5%氧气和氦气的混合气
- 用于半导体制造;氧0.5%,氦99.5%;钢瓶包装
- 38249099901%磷烷氦气混合气
- 集成电路用;1%磷烷,99%氦气;钢瓶装
- 38249099901.2%氦气和氮气的混合气
- 1.2%HE/N2半导体制造用|含氦气1
- 38249099901.2%氦气和氮气的混合气
- 1.2%HE/N2用于半导体制造;含氦1
- 38249099901.2%氦气和氮气的混合气
- 1.2%HE/N2用于半导体制造|含氦气
- 38249099901%磷烷氦气混合气
- 成分含量:1%磷化氢,99%氦气;用途:
- 38249099901.2%氦气和氮气的混合气
- 1.2%HE/N2半导体制造用|氦气1.
- 38249099905%氢气氦气混合气
- 氢气3.91-49.9%氦气50.1-96.09%钢瓶装/薄膜制程用
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