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3824909990硝酸,乙酸,氟化氢的混合物
半导体制造用成分含量:硝酸50%乙酸2.6%氢氟酸0.72%水46.68%包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
BOE半导体制造用成分:氢氟酸20%氟化铵20%水60%高密度聚乙烯容器包装

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%|包装:高密度聚乙烯容器|无稀土元素

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量:氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量:氢氟酸20%,氟化铵20%,水60%包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%半导体制造用包装:高密度聚乙烯容器无稀土元素

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%|包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|成分含量:氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%|包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%包装高密度聚乙烯容器

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