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3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量氢氟酸20%氟化铵20%水60%包装:高密度聚乙烯容器

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半导体制造用|成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%|高密度聚乙烯容器包装

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半导体制造用|氢氟酸20%氟化铵20%水60%|包装:高密度聚乙烯容器|无稀土元素

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半导体制造用成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%高密度聚乙烯容器包装

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半导体制造用成分含量:氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72包装:高密度聚乙烯容器

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成分:氢氟酸0.03-0.09%氟化铵16.7-17.3%水82-83.5%表面活性剂<1%半导体制造用包装:高密度聚乙烯容器无稀土元素

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BOE半导体制造|成分:氢氟酸1.75%氟化铵17.2%水81.05%|包装:高密度聚乙烯容器|无稀土元素

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半导体制造用|成分含量:氢氟酸0.05%,氟化铵17%,水82.95%|高密度聚乙烯容器包装

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半导体制造用|成分含量:氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%|高密度聚乙烯容器包装

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半导体制造用成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%包装:高密度聚乙烯容器

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