- 8541900000发光二极管芯片光鋐牌
- DD-BG76MW1310-01成份:砷化镓晶体(12X12MIL)763062个
- 8541401000发光二极管
- 型号:K68S09F-0.80W/品牌:BWT/材质:砷化镓半导体
- 8541401000晶片/型号:SR-1规格:9*9μm.
- 砷化镓93.6%,磷化镓5.9%,磷化铟铝0.5%
- 8541900000发光二极管芯片HUGA牌
- DD-BK090K1414-01成份:砷化镓晶体(11X11MIL)200000个
- 8541900000发光二极管芯片光磊牌
- DD-YG008D1111-01成份:砷化镓晶体(11X11MIL)2000000个
- 8542330000砷化镓集成电路/用途:手机功率放大.未加密
- 型号M2D681862品牌RF功能:手机功率放大器模块
- 8542330000砷化镓集成电路/用途:手机功率放大.未加密
- 型号M2D716437品牌RF功能:手机功率放大器模块
- 8542330000砷化镓集成电路/用途:手机功率放大.未加密
- 型号M3D681858品牌RF功能:手机功率放大器模块
- 8542330000砷化镓集成电路/用途:手机功率放大.未加密
- 型号E1D00EE15品牌RF.功能:手机功率放大器模块
- 8542330000砷化镓集成电路/用途:手机功率放大.未加密
- 型号M1D323319品牌RF功能:手机功率放大器模块
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