- 8541900000发光二极管芯片光磊牌
- DD-YG008D1111-01成份:砷化镓晶体(11X11MIL)1536100个
- 8541900000发光二极管芯片HUGA牌
- DD-BJ060E1414-01成份:砷化镓晶体(10X10MIL)200000个
- 8541900000发光二极管芯片光磊牌
- DD-SO070M0808-01成份:砷化镓晶体(14X14MIL)800000个
- 8541900000发光二极管芯片鼎元牌
- DD-YG014C1010-01成份:砷化镓晶体(11X11MIL)999734个
- 8541900000发光二极管芯片光磊牌
- DD-RD001A1111-01成份:砷化镓晶体(13X13MIL)100000个
- 8541401000晶片/型号:9SEF-1规格:9*9μm.
- 砷化镓93.6%,磷化镓5.9%,磷化铟铝0.5%
- 8541401000晶片/型号:SE-3,规格:285*285μm.
- 砷化镓＜9.1%,磷化镓＜90%,铝＜0.5%,金＜1.8%
- 8541900000发光二极管芯片光鋐牌
- DD-BG76MW1310-01成份:砷化镓晶体(12X12MIL)876482个
- 8541401000晶片/型号:URF-1规格:12*12μm.
- 砷化镓93.6%,磷化镓5.9%,磷化铟铝0.5%
- 8541401000发光二极管组件
- ;BWT牌,用于材料处理砷化镓半导体,K63S03F-0.020W-S-R
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