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3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72高密度聚乙烯容器包装

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量氢氟酸20%氟化铵20%水60%包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
用途:半导体制造|成分:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%,表面活性剂无|包装高密度聚乙烯器|无稀土元素

3824909990镀锌三价钝化剂LANTHANE316
电镀用添加剂;硝酸2.5-10%硝酸钴小于2.5%氢氟酸小于2.5%盐酸2.5-10%其他为水;桶;

3824909990混酸
用途:清洗零件;成分含量:醋酸.硝酸.氢氟酸比6:1:1包装:都是塑料桶装

3824909990二氧化硅蚀刻液BOE20-1
牌TAIMAX蚀刻二氧化硅;氢氟酸百分之49氟化铵百分之40其余为水;塑料桶装;

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%|高密度聚乙烯容器包装

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|氢氟酸20%氟化铵20%水60%|包装:高密度聚乙烯容器|无稀土元素

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%高密度聚乙烯容器包装

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量:氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72包装:高密度聚乙烯容器

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