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3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|成分含量:氢氟酸20%氟化铵20%水60%|包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用成分含量:氢氟酸20%氟化铵20%水60%包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
包装高密度聚乙烯容器成分含量氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%半导体制造用

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
成分:氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%半导体制造用无稀土元素包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%半导体制造用包装:槽罐车无稀土元素

3824909990硼酸清洗剂
清洗晶圆用|磷酸94%氢氟酸2.5%乙氧基化酒精2.5%甲氧基,异丙醇1%|铁桶|非稀土元素|型号AL50

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|成分含量:;氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%|包装:高密度聚乙烯容器

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%|包装:高密度聚乙烯容器|无稀土元素

3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%半导体制造用包装:高密度聚乙烯容器无稀土元素

3824909990硝酸,乙酸,氟化氢的混合物
半导体制造用成分含量:硝酸50%,乙酸2.6%,氢氟酸0.72%,水46.68%高密度聚乙烯容器包装

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