- 84861040抛光机(旧)1996年
制作晶圆专用- 84861090薄膜剥离机
制作晶圆专用- 84861090机械去晶片薄膜机
制作晶圆专用- 84861090碱洗机
制作晶圆专用- 84861090晶体干燥机
制作晶圆专用- 84862049晶圆湿法刻蚀机
- 品牌LAM；型号DV34；
刻蚀机
1）设备构成：主要由4个独立的反应处理腔室，晶圆传送系统，化学品输送系统(包括两个储存二种不同化学品的液槽及循环的泵和管路)和控制系统。2）设备功能：将晶圆放入反应处理腔室中，通过将氢氟与TMAH显影液混合溶液喷到晶圆正/背面，去除上道制程残留物质及晶圆表面多余薄膜层。1个反应处理腔室一次只能处理一片晶圆。3）设备原理：晶圆通过机器手臂传送至每个独立反应处理腔室，化学品输送系统将化学混合液体均匀地喷洒在晶圆表面进行反应腐蚀，以去除上道制程残留物质及晶圆表面多余薄膜层。在蚀刻完成后使用高纯度水冲洗，最后 - 84862049晶圆湿法刻蚀机
- 品牌LAM；型号DV34；
刻蚀机
1）设备构成：主要由4个独立的反应处理腔室，晶圆传送系统，化学品输送系统(包括两个储存二种不同化学品的液槽及循环的泵和管路)和控制系统。2）设备功能：将晶圆放入反应处理腔室中，通过将氢氟与TMAH显影液混合溶液喷到晶圆正/背面，去除上道制程残留物质及晶圆表面多余薄膜层。1个反应处理腔室一次只能处理一片晶圆。3）设备原理：晶圆通过机器手臂传送至每个独立反应处理腔室，化学品输送系统将化学混合液体均匀地喷洒在晶圆表面进行反应腐蚀，以去除上道制程残留物质及晶圆表面多余薄膜层。在蚀刻完成后使用高纯度水冲洗，最后使用 - 8541900000晶圆
- 电源管理,电池保护用晶圆;硅能牌;SSWT30PDAD
- 8541900000晶圆
- 电源管理,电池保护用晶圆;硅能牌;NO4002
- 8541900000晶圆
- 电源管理,电池保护用晶圆;硅能牌;SSTW20FBC
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