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3824909990氧化物刻蚀缓冲剂
半导体制造用|成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%|包装:高密度聚乙烯容器

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半导体制造用|成分含量:氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%|包装:高密度聚乙烯容器

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半导体制造用成分含量:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72包装:高密度聚乙烯容器

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半导体制造用成分含量氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%包装高密度聚乙烯容器

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用途:半导体制造成分:氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%包装高密度聚乙烯容器

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半导体制造用|成分含量:氢氟酸20%氟化铵20%水60%|包装:高密度聚乙烯容器

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半导体制造用成分含量:氢氟酸20%氟化铵20%水60%包装:高密度聚乙烯容器

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包装高密度聚乙烯容器成分含量氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%半导体制造用

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成分:氢氟酸0.08%氟化铵17.2%水82.72%半导体制造用无稀土元素包装:高密度聚乙烯容器

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半导体制造用|成分含量:;氢氟酸0.08%,氟化铵17.2%,水82.72%|包装:高密度聚乙烯容器

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