- 3824909990ITO靶材
- 用于芯片制造过程中的ITO薄膜沉积|90%三氧化铟,10%二氧化锡|真空包装||ITO层尺寸:8*85*342MM
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- 用于制造导电膜|90%氧化铟,10%氧化锡|真空包装|无稀土元素|495*136*5mm
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- 用于制造导电膜|90%氧化铟,10%氧化锡|真空包装|无稀土元素|规格:115*110*6mm
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- 用于制造导电膜|90%氧化铟,10%氧化锡|真空包装|无稀土元素|规格:115*45*6mm
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- 用于制造导电膜|90%氧化铟,10%氧化锡|真空包装|无稀土元素|规格:115*73.3*6mm
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- 用于制造导电膜|90%氧化铟,10%氧化锡|真空包装|无稀土元素|规格:409.8*136*5mm
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- 用于制造导电膜|98%氧化铟,2%氧化锡|真空包装|无稀土元素|规格:115*110*6mmt
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- 用在玻璃表面;;袋装;无稀土元素;1439×135mm
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- 用在玻璃表面;90%氧化铟,10%氧化锡;袋装;1600X272MM
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- 用在玻璃表面;90%氧化铟,10%氧化锡;袋装;180X63X7MM
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