2804619099晶体硅

自动控制仪用;直拉法;99.99%硅0.01%杂质

2804619019多晶硅

用于生产太阳能电池片,是正品原料,不是废碎料,外观呈不规则块状固体
多晶硅
用于生产太阳能电池片,是正品原料,不是废碎料,外观呈不规则块状固体

2804619019多晶硅材料（原生硅块）

成分≥99.9999%硅，电阻率＞50欧姆
多晶硅
成分≥99.9999%硅，电阻率＞50欧姆，主要原产地有德国、美国、韩国及中国。采用改良西门子法加工工艺，进口状态为不规则块状，银色。

2804619019多晶硅硅锭

切片|熔化掺硼|硅>99.99%|块|0.5-3欧|不需清洗|无
多晶硅
加工方法：多晶硅溶化掺硼成硅锭，成份含量硅>99.99%，硼〈0.0000001%，呈块状，用于硅锭线切割成片。

2804619019多晶硅块

生产硅棒用|经掺杂|硅〉99.99%|块料|无电阻率|无需清洗
多晶硅
黑灰色有金属光泽的方块。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。较多的用途为生产单晶硅、

2804619019多晶硅块

用于加工半导体级单晶硅棒及单晶硅片|三氯氢硅氢还原法|含硅量不少于11个9|块料|N大于等于500，P大于等于5000|不需清洗|PCB-AE4|不是废料
多晶硅
多晶硅块的用途是用于加工半导体级单晶硅棒及单晶硅片，加工工艺方法采用三氯氢硅氢还原法，它的成分含量是含硅量不少于11个9外观是一块一块的块料，电阻率为N大于等于500，P大于等于5000，产品不需要清洗。

2804619019多晶硅料

用于单晶硅棒的拉制和多晶硅铸锭|加工方法为改良西门子法|纯度为99.9999%|多晶块状料|100-1000欧姆|不需清洗|不是废碎料
多晶硅
多晶硅料颜色为灰色金属光泽，不透明，块状、棒状硅多晶接过致密，破碎的块状硅多晶具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为6mm，最大为100mm，多晶硅免洗或经过表面清洗，应使其达到直接使用要求，所有多晶硅的外观应无色斑，无可见的污染物和氧化的外表面

2804619019多晶体硅料

生产太阳能光伏组件；加工方法：改良西门子法（在传统工艺基础上，增加SiC14氢化工艺等，实现闭路循环）。成分含量:含硅量达99.9999%以上的多晶硅,电阻率:2.3*10的5次方Ω·CM,不规则块状,无需清洗,用于制造太阳能光电池原料.
多晶体硅料
生产太阳能光伏组件；加工方法：改良西门子法（在传统工艺基础上，增加SiC14氢化工艺等，实现闭路循环）。成分含量:含硅量达99.9999%以上的多晶硅,电阻率:2.3*10的5次方Ω·CM,不规则块状,无需清洗,用于制造太阳能光电池原料.

2804619019原生太阳能级多晶硅料

用于单晶硅生产|硫化床法|硅纯度＞99.99%|粉末状|P型>0.5Ω|免洗料|未经表面加工
多晶硅
1.品名：原生太阳能级多晶硅料2.用途：用于单晶硅生产3.加工方法（经掺杂等）：硫化床法4.成分含量：硅纯度﹥99.99%备注：剩余的0.01%是掺杂于料中的其他物质，大部分是用于改变硅料电阻率的硼。5.外观：颗粒状6.电阻率：P型﹥0.5Ω7.是否需清洗：免洗料8.没有经过表面加工硫化床法FBR法，生产出的产品为直径近似的颗粒状，尺寸在1-5mm左右，灰黑色。其纯度和电阻率都和前者类似。都属于生产单晶、多晶硅片最好的原料。硫化床反应器fluidizedbedreacto

2804619019原生太阳能级多晶硅料

用于单晶硅生产|硫化床法|硅纯度＞99.99%|粉末状|P型>0.5Ω|免洗料|未经表面加工
多晶硅
1.品名：原生太阳能级多晶硅料2.用途：用于单晶硅生产3.加工方法（经掺杂等）：硫化床法4.成分含量：硅纯度﹥99.99%备注：剩余的0.01%是掺杂于料中的其他物质，大部分是用于改变硅料电阻率的硼。5.外观：颗粒状6.电阻率：P型﹥0.5Ω7.是否需清洗：免洗料8.没有经过表面加工硫化床法FBR法，生产出的产品为直径近似的颗粒状，尺寸在1-5mm左右，灰黑色。其纯度和电阻率都和前者类似。都属于生产单晶、多晶硅片最好的原料。硫化床反应器fluidizedbedreactor(FBR):一种

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