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美国ITC欲对绝缘体上硅晶片启动337调查

来源：进出口服务网 | 时间：2015/8/31 16:44:39 | 阅读次数：

发布单位：中华人民共和国海关总署

• 发布人：
• 小杨

   2015年8月18日，Silicon Genesis Corp.向美国国际贸易委员会（ITC）提出申请，指控美国进口以及美国国内市场销售的部分用于半导体的绝缘体上硅晶片（certain silicon-on-insulator wafers for use in semiconductors）侵犯了其专利权（美国专利注册号5985742、6013563、6103599、6162705、6180496、6294814、6790747、7811901），申请启动337调查，并发布普遍排除令和禁止令。

    申诉方建议美国ITC将Soitec公司（SOITEC Silicon on Insulator Technologies,S.A.）指定为本案的被诉方。

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